美國模擬器件公司（ADI）日前開發成功了可承受電壓達30V、設計規格為0.6μm的超微細半導體制造工藝。該技術名為“iCMOS工藝技術”。主要用于生產面向需要承受高電壓的產業設備和醫療設備等的模擬IC。

此前，生產可承受30V高壓的模擬IC芯片，需要采用設計規格為1μm～3μm的Bipolar-CMOS技術。而采用此次的iCMOS工藝技術，與此前相比可減少耗電、減小芯片面積，還可實現高速運行等。因為具有以上優良性 能，ADI計劃在面向產業設備和醫療設備的模擬IC生產領域，全面推進由此前的Bipolar-CMOS技術向iCMOS工藝技術的過渡。還同時宣布采用該技術生產15種產品。

該公司在發表iCMOS工藝技術的同時，還宣布將采用該技術生產15種模擬IC產品。包括運算放大器、A-D轉換器、D-A轉換器、轉換器和多路復用器等。每款產品都在±5V或±15V等高電壓下運行。

因為iCMOS工藝技術為0.6μm的微細設計規格，所以不僅可減小芯片面積、對外圍電路進行集成，截止頻率fT也高達1GHz。比如說，采用iCMOS技術制造的A-D轉換器與同類產品相比，耗電量可減少25%～40%，成形速度也可達此前的5倍左右。

目前，半導體業界的技術開發出現了面向數字家電一邊倒的有趣現象。不過，ADI表示：“我們一貫重視面向產業設備的耐高壓模擬IC的技術開發，今后仍將繼續努力”（該公司PrecisionConverters生產線主任MikeBritchfield）。ADI還計劃根據市場需求，將iCMOS工藝技術應用到面向特定用途的半導體產品（ASSP：ApplicationSpecificStandard Product）的生產中。不過，目前還沒有接受采用iCMOS工藝技術的定制IC的訂貨計劃。

采用iCMOS工藝技術的新產品（部分）如下：D-A轉換器IC“AD5764”——輸入數字信號的分解能力為16位，輸出信號的電壓范圍為±10V。A-D轉換器IC“AD7328”——輸入信號的分解能力為12位，量子化分解能力為12位。運算放大器“AD8661”——最大可增壓至16V（±8V）運行。轉換器和多路復用器“ADG12xx”——每個磁道容量為2pF，最大導通電阻僅為5Ω。