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研究表明磁刺激可能改善中風(fēng)病人的運(yùn)動(dòng)功能 【?2005-05-31 發(fā)布?】 臨床報(bào)道
研究人員在5月24日《神經(jīng)病學(xué)》雜志(Neurology 2005;64:1802-1804)上報(bào)告,中風(fēng)病人未受影響的半側(cè)大腦反復(fù)經(jīng)顱磁刺激(rTMS)減少了反應(yīng)時(shí)間,改善了運(yùn)動(dòng)任務(wù)執(zhí)行能力。 作者之一、哈佛大學(xué)醫(yī)學(xué)院的弗利格尼(Felipe Fregni)告訴路透社記者,健康大腦兩半球的相互抑制程度相同,基本上是相互抵消的。“當(dāng)病人中風(fēng)時(shí),受傷的半側(cè)大腦對(duì)對(duì)側(cè)大腦的抑制減小,因此健康半側(cè)大腦的抑制性活性增加”,他解釋。他和同事猜測(cè),“如果我們能降低健康半側(cè)大腦的活性,就可以減輕對(duì)患側(cè)大腦的抑制并改善運(yùn)動(dòng)功能”。 為檢驗(yàn)此理論,弗利格尼和同事治療了10名病人。這些病人在前12個(gè)月內(nèi)中風(fēng),運(yùn)動(dòng)功能穩(wěn)定。三次rTMS治療期間(每次隔1小時(shí)),在健康側(cè)大腦的運(yùn)動(dòng)和運(yùn)動(dòng)前皮質(zhì)區(qū)給予10分鐘的1-Hz磁場(chǎng)。病人還接受了安慰治療,6名健康對(duì)照者以同樣方案處理,以確保測(cè)試能力的變化不是因?yàn)閷W(xué)習(xí)效應(yīng)引起的。檢查包括簡(jiǎn)單反應(yīng)時(shí)間、4-選擇反應(yīng)時(shí)間、Purdue測(cè)板測(cè)驗(yàn)和指輕叩法,在每次真、假治療之后進(jìn)行。 結(jié)果表明,在簡(jiǎn)單反應(yīng)時(shí)間和選擇反應(yīng)時(shí)間上rTMS對(duì)運(yùn)動(dòng)皮質(zhì)的影響比假治療更顯著(p = 0.043,p = 0.013)。作者還注意到,前組Purdue測(cè)板測(cè)試結(jié)果也改善(p = 0.006),放對(duì)的木釘數(shù)也顯著增加(6.2:4.2, p = 0.002)。對(duì)照組的測(cè)試結(jié)果沒(méi)有變化。 弗利格尼指出,這些改善是暫時(shí)的。“我們相信,如果我們?cè)黾又委煷螖?shù),就可能增加治療效用的時(shí)間和幅度,因此下一步是連續(xù)10天以rTMS治療,然后檢查運(yùn)動(dòng)功能”,他補(bǔ)充。 /**/
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